可控硅-使用黄金规则

1.为了导通双向可控硅，必须有门极电流≥IGT,直至负载电流达到≥IL。这个条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。

2.要断开（切换）双向可控硅，负载电流必须并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。

3.设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-,+)

4.为了减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1KΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决方法，选低灵敏双向可控硅。

5.若dVD/dVCOM/dt可能引起的问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几mH的电感和负载串联。

6.假如双向可控硅的VDRM在严重的，导常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列两种措施：负载上串联电感量为几uH的不饱和电感，以限制dIT/dt或者用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。（韩景元）

7.选用好的门极触发电器，避开3+象限工况，可能最大限度的提高双可控硅的dIT/dt承受能力。

8.若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上最好串联一个几uH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采购零电压导通。

9.器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力，固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

10.为了长期可靠的工作，应保证Rthj-a足够低，维持 Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。