问:一般硅二级管与肖特基二极管的不同点？

答：二种二级管全是单边导电性，可用以整流器场所。

差别是一般硅二级管的耐压试验能够 做得较高，可是它的修复速率低，只有用在高频的整流器上，假如是高频率的就会由于没法迅速修复而产生反方向走电，最终造成水管比较严重发烫损坏；肖特基二极管的耐压试验能常较低，可是它的修复更快，能够 用在高频率场所，故电源变压器选用此类二级管做为整流器輸出用，即便如此，电源变压器上的整流管溫度還是很高的。

肖特基二极管要以其发明者肖特基博士生(Schottky)取名的，是肖特基势垒二级管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的通称。和别的的二级管比起來，肖特基二极管有哪些非常的呢?SBD并不是运用P型半导体材料与N型半导体材料触碰产生PN结基本原理制做的，只是运用金属材料与半导体材料触碰产生的金属材料-半导体材料结基本原理制做的。因而，SBD也称之为金属材料-半导体材料(触碰)二级管或表层势垒二级管，这是这种热载流子二级管。

典型性的肖特基整流管的內部电源电路构造要以N型半导体材料为基片，在上边产生用砷作掺杂剂的N-外加层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用sio2(SiO2)来清除边沿地区的静电场，提升水管的耐压试验值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。如在肖特基势垒两边再加顺向偏压(阳极氧化金属材料插线正级，N型基片插线负级)时，肖特基势垒层变小，其内电阻缩小;相反，若在肖特基势垒两边再加反方向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内电阻增大。

肖特基整流管仅用这种载流子(电子器件)运输正电荷，在势垒两侧无产能过剩极少数载流子的积淀，因而，找不到正电荷存储难题(Qrr→0)，使电源开关特点得到时显改进。其反向恢复時间已能减少到10ns之内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。运用其底压降这特性，能提升底压、大电流量整流器(或续流)电源电路的高效率。

利用金属与半导体接触形成肖特基势垒构成的微波二极管称为肖特基势垒二极管。这类元器件对外开放关键展现离散系统电阻器特点是组成微波加热混频器、检波器和微波加热电源开关等的关键元器件。构造，肖特基势垒二级管有二种管芯构造:点接触型揉面融合型，点接触型管芯用一金属细压接进N型半导体材料外加层表层上产生金半触碰。面融合型管芯需先在N型半导体材料外加层表层上转化成sio2(SiO2)保护层厚度,再用光刻的方法浸蚀出1个小圆孔,普遍存在N型半导体材料外加层表层,淀积一层层陶瓷膜(通常选用金属材料钼或钛,称之为势垒金属材料)产生金半触碰,再蒸镀或电镀工艺一层层金属材料(金、银等)组成电级。二种管芯构造的半导体材料一边都选用重夹杂N+层作衬底,并在其上产生欧姆接触的电级。面结合型管性能要优于点接触管,